Benutzerbeiträge von „Moettke“
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Ergebnisse für Moettke Diskussion Sperr-Logbuch hochgeladene Dateien Logbücher
Ein Benutzer mit 2.695 Bearbeitungen. Das Konto wurde am 21. April 2025 erstellt.
9. Februar 2026
- 12:1312:13, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +99 P-n-Übergang →Entstehung der Sperrschicht
- 12:1312:13, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +13 N Datei:Pn Übergang.png Keine Bearbeitungszusammenfassung
- 12:0912:09, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen −216 P-n-Übergang →Sperrschicht
- 12:0912:09, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +486 P-n-Übergang →Sperrschicht
- 11:4011:40, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen −158 P-n-Übergang →Entstehung
- 11:3311:33, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +264 P-n-Übergang →Entstehung
- 11:2411:24, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +53 P-n-Übergang →Entstehung
- 11:2111:21, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen −1 P-n-Übergang →Entstehung
- 11:2111:21, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen 0 P-n-Übergang Keine Bearbeitungszusammenfassung
- 11:1911:19, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen −29 P-n-Übergang →p-n-Übergang
- 11:1911:19, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +1.142 N P-n-Übergang Die Seite wurde neu angelegt: „== p-n-Übergang == Ein '''p-n-Übergang''' entsteht, wenn ein '''p-dotierter''' Halbleiter direkt mit einem '''n-dotierten''' Halbleiter verbunden wird. Er bildet die grundlegende Struktur vieler elektronischer Bauelemente, insbesondere der '''Diode'''. === Entstehung === Nach dem Kontakt diffundieren Elektronen aus dem n-Bereich in den p-Bereich, während Löcher aus dem p-Bereich in den n-Bereich wandern. Dadurch entsteht eine '''Raumladungszone''' (…“
- 11:1811:18, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +4 Diode Keine Bearbeitungszusammenfassung aktuell
- 10:3910:39, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +26 Silizium →Eigenschaften aktuell
- 10:3810:38, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +132 Silizium →Eigenschaften
- 10:3310:33, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +29 Dotierung von Halbleitern →Typische Dotierstoffe
- 10:3210:32, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +109 Dotierung von Halbleitern →Typische Dotierstoffe
- 10:3210:32, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +20 N Datei:Dotierung bor gitter.png Keine Bearbeitungszusammenfassung aktuell
- 10:2810:28, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +12 N Datei:Silizium bor.png Keine Bearbeitungszusammenfassung aktuell
- 10:2310:23, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +12 Dotierung von Halbleitern →Reiner Halbleiter
- 10:2310:23, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +1 Dotierung von Halbleitern Keine Bearbeitungszusammenfassung
- 10:2310:23, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen −1 Dotierung von Halbleitern Keine Bearbeitungszusammenfassung
- 10:2110:21, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +29 Dotierung von Halbleitern →Typische Dotierstoffe
- 10:2010:20, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +121 Dotierung von Halbleitern →Typische Dotierstoffe
- 10:2010:20, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +24 N Datei:Dotierung phospor gitter.png Keine Bearbeitungszusammenfassung aktuell
- 10:1810:18, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen 0 Datei:Silizium gitter.png Moettke lud eine neue Version von Datei:Silizium gitter.png hoch aktuell
- 10:1510:15, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +29 Dotierung von Halbleitern →Reiner Halbleiter
- 10:1510:15, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +94 Dotierung von Halbleitern →Reiner Halbleiter
- 10:1410:14, 9. Feb. 2026 Unterschied Versionen +15 N Datei:Silizium gitter.png Keine Bearbeitungszusammenfassung
31. Januar 2026
- 13:2813:28, 31. Jan. 2026 Unterschied Versionen 0 Mainboard →Aufbau einer Hauptplatine Markierung: Manuelle Zurücksetzung
- 13:2813:28, 31. Jan. 2026 Unterschied Versionen 0 Mainboard →Aufbau einer Hauptplatine Markierung: Zurückgesetzt
- 13:2713:27, 31. Jan. 2026 Unterschied Versionen −1 Mainboard →Aufbau einer Hauptplatine
- 13:2713:27, 31. Jan. 2026 Unterschied Versionen +30 Mainboard →Aufbau einer Hauptplatine
- 13:2613:26, 31. Jan. 2026 Unterschied Versionen +133 Mainboard →Aufbau einer Hauptplatine
- 13:2613:26, 31. Jan. 2026 Unterschied Versionen +28 N Datei:Mainboard gesamt beschriftet.png Keine Bearbeitungszusammenfassung aktuell
29. Januar 2026
- 15:3115:31, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen −2 ASCII →Aufbau aktuell
- 15:2915:29, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen −1 ASCII →Aufbau
- 15:2915:29, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +229 ASCII Keine Bearbeitungszusammenfassung
- 14:1014:10, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +43 Gleichstrom und Wechselstrom →Wechselstrom (Alternating Current - AC) aktuell
- 13:4613:46, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +96 Datenrepräsentation →Potenzen von 2 aktuell
- 13:4513:45, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen −7 Datenrepräsentation →Potenzen von 2
- 13:2913:29, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +35 Datenrepräsentation →Byte
- 13:2713:27, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +2 Datenrepräsentation →Potenzen von 2
- 13:2613:26, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +384 Datenrepräsentation →Byte
- 13:2413:24, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +29 Datenrepräsentation →Byte
- 13:2313:23, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +85 Datenrepräsentation →Byte
- 13:2313:23, 29. Jan. 2026 Unterschied Versionen +12 N Datei:Bin dez byte.png Keine Bearbeitungszusammenfassung aktuell
28. Januar 2026
- 15:1115:11, 28. Jan. 2026 Unterschied Versionen +30 Silizium →Bedeutung in der Elektronik
- 14:5714:57, 28. Jan. 2026 Unterschied Versionen +6 Silizium →Eigenschaften
- 14:5614:56, 28. Jan. 2026 Unterschied Versionen +29 Silizium Keine Bearbeitungszusammenfassung
- 14:5514:55, 28. Jan. 2026 Unterschied Versionen +88 Silizium Keine Bearbeitungszusammenfassung
