Änderungen an verlinkten Seiten
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28. Januar 2026
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N 14:41 | Dotierung von Halbleitern 5 Änderungen Versionsgeschichte +2.227 [Moettke (5×)] | |||
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14:41 (Aktuell | Vorherige) +4 Moettke Diskussion Beiträge (→Reiner Halbleiter) | ||||
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14:29 (Aktuell | Vorherige) −4 Moettke Diskussion Beiträge | ||||
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14:26 (Aktuell | Vorherige) 0 Moettke Diskussion Beiträge (→Bedeutung der Dotierung) | ||||
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14:25 (Aktuell | Vorherige) −22 Moettke Diskussion Beiträge (→Bedeutung der Dotierung) | ||||
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14:25 (Aktuell | Vorherige) +2.249 Moettke Diskussion Beiträge (Die Seite wurde neu angelegt: „Die '''Dotierung''' ist ein Verfahren zur gezielten '''Veränderung der elektrischen Leitfähigkeit''' von Halbleitern wie Silizium oder Germanium. Dabei werden dem reinen Halbleitermaterial geringe Mengen '''Fremdatome''' hinzugefügt. Durch Dotierung entstehen '''p-dotierte''' oder '''n-dotierte''' Halbleiter. == Reiner Halbleiter == Ein reiner (intrinsischer) Halbleiter besitzt: * wenige frei bewegliche Ladungsträger * eine geringe elektri…“) | |||
