Flash-Speicher: Unterschied zwischen den Versionen

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* starkes elektrisches Feld in Gegenrichtung
* starkes elektrisches Feld in Gegenrichtung
* Elektronen tunneln durch die Oxidschicht -> Fowler-Nordheim-Tunneling
* Elektronen tunneln durch die Isolator-Schicht-> Fowler-Nordheim-Tunneling


== Anwendungen ==
== Anwendungen ==

Aktuelle Version vom 19. März 2026, 13:48 Uhr

Flash-Speicher ist ein nichtflüchtiger Speicher, der Daten auch ohne Strom behält. Er basiert auf MOSFET-Strukturen mit einer zusätzlichen, isolierten Ladungsschicht, in der elektrische Ladung dauerhaft gespeichert wird.

Eigenschaften

  • speichert Daten ohne Strom
  • sehr schnell beim Lesen
  • Schreiben ist langsamer als Lesen
  • begrenzte Anzahl an Schreibzyklen (Verschleiß)
  • begrenzte Dauer der Datenhaltung
  • keine beweglichen Teile (robust, stoßfest)

Arten

Typ Einsatz Beschreibung
NAND-Flash SSD, USB-Stick, SD-Karte hohe Speicherdichte, blockweises Schreiben/Löschen
NOR-Flash Firmware, Mikrocontroller schnelles Lesen, byteweises Ausführen von Code

Funktionsweise

ohne Spannung am Control Gate

Flash speicher1
Flash speicher1


hohe positive Spannung am Control Gate

Flash speicher2
Flash speicher2


  • Elektronen im Kanal werden stark beschleunigt
  • einige „springen“ ins Floating Gate -> Hot-Electron-Injektion

hohe negative Spannung am Control Gate

Flash speicher3
Flash speicher3


  • starkes elektrisches Feld in Gegenrichtung
  • Elektronen tunneln durch die Isolator-Schicht-> Fowler-Nordheim-Tunneling

Anwendungen

Kurzmerksatz

Flash-Speicher ist schnell, nichtflüchtig und robust. Ideal für mobile und feste Datenspeicher.