Transistor: Unterschied zwischen den Versionen
Die Seite wurde neu angelegt: „= Transistor (BJT) = Ein '''Transistor''' ist ein Halbleiterbauteil mit drei Anschlüssen (Collector, Base, Emitter). Er dient zum '''Schalten''' und '''Verstärken''' von elektrischen Strömen. Ein kleiner Basisstrom steuert einen größeren Strom zwischen Collector und Emitter. == Anschlüsse == * '''C – Collector''' * '''B – Base''' * '''E – Emitter''' == Funktionsweise == Ein kleiner Steuerstrom an der Basis ermöglicht oder verhindert den…“ |
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Ein '''Transistor''' ist ein Halbleiterbauteil zum '''Schalten''' und '''Verstärken''' von elektrischen Strömen. | |||
Es gibt zwei Haupttypen: '''BJT (Bipolartransistor)''' und '''MOSFET (Feldeffekttransistor)'''. | |||
Ein ''' | == BJT (Bipolar Junction Transistor) == | ||
Ein BJT ist ein stromgesteuerter Transistor mit den Anschlüssen | |||
'''C – Collector''', '''B – Base''', '''E – Emitter'''. | |||
Er arbeitet, indem ein kleiner Basisstrom den größeren Stromfluss zwischen Collector und Emitter steuert. | |||
== | === Funktionsweise BJT === | ||
Ein kleiner Basisstrom '''ermöglicht''' oder '''verhindert''' den Stromfluss zwischen Collector und Emitter. | |||
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==== Collector-Emitter-Spannung ohne Basisstrom (Sperrzustand) ==== | |||
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== NPN und PNP == | ==== Anlegen der Basis-Emitter-Spannung ==== | ||
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=== NPN und PNP === | |||
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== Anwendungen == | === Anwendungen (BJT) === | ||
* Schalter | * Schalter | ||
* Verstärker | * Verstärker | ||
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=== Kurzmerksatz (BJT) === | |||
'''NPN''' → Basis positiv schaltet ein.<br> | |||
'''PNP''' → Basis negativ schaltet ein. | |||
== MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)== | |||
Ein MOSFET ist ein '''spannungsgesteuerter''' Transistor mit den Anschlüssen | |||
'''D – Drain''', '''G – Gate''', '''S – Source'''. | |||
Er wird durch ein elektrisches Feld gesteuert, das am Gate erzeugt wird und über eine Metall-/Oxidschicht auf den Halbleiter wirkt. | |||
Das Gate benötigt praktisch keinen Strom, sondern nur eine Spannung. | |||
=== Funktionsweise BJT === | |||
Eine Gatespannung '''ermöglicht''' oder '''verhindert''' den Stromfluss zwischen Drain und Source. | |||
=== N-MOSFET und P-MOSFET === | |||
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| N-MOSFET || Leitet, wenn das Gate gegenüber Source '''positiv''' ist ('''U<sub>GS</sub> > U<sub>th</sub>'''). | |||
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| P-MOSFET || Leitet, wenn das Gate gegenüber Source '''negativer''' ist ('''U<sub>GS</sub> < -U<sub>th</sub>'''). | |||
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=== Eigenschaften === | |||
* sehr hoher Eingangswiderstand | |||
* sehr schnelle Schaltzeiten | |||
* geringe Verlustleistung | |||
* Grundlage moderner [[CPU|CPUs]], [[GPU|GPUs]], VRMs | |||
== BJT vs. MOSFET == | |||
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! Merkmal !! BJT !! MOSFET | |||
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| Steuerung || stromgesteuert (Basisstrom) || spannungsgesteuert (Gate) | |||
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| Eingangswiderstand || niedrig || sehr hoch | |||
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| Geschwindigkeit || mittel || sehr schnell | |||
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| Verlustleistung || höher || geringer | |||
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| Einsatz || Verstärker, einfache Schalter || Digitaltechnik, Leistungselektronik | |||
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== Kurzmerksatz == | == Kurzmerksatz == | ||
''' | * '''BJT:''' Strom steuert Strom. | ||
''' | * '''MOSFET:''' Spannung steuert Strom. | ||
Aktuelle Version vom 16. Februar 2026, 15:42 Uhr
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauteil zum Schalten und Verstärken von elektrischen Strömen. Es gibt zwei Haupttypen: BJT (Bipolartransistor) und MOSFET (Feldeffekttransistor).
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Ein BJT ist ein stromgesteuerter Transistor mit den Anschlüssen C – Collector, B – Base, E – Emitter. Er arbeitet, indem ein kleiner Basisstrom den größeren Stromfluss zwischen Collector und Emitter steuert.
Funktionsweise BJT
Ein kleiner Basisstrom ermöglicht oder verhindert den Stromfluss zwischen Collector und Emitter.
Aufbau eines npn-Transistors (ohne äußere Spannung)

Collector-Emitter-Spannung ohne Basisstrom (Sperrzustand)

Anlegen der Basis-Emitter-Spannung

Aktiver Betrieb – Kollektorstrom fließt

NPN und PNP
| Typ | Einschalten | Pfeilrichtung |
|---|---|---|
| NPN | Basis positiv (≈ +0,7 V) | Pfeil nach außen |
| PNP | Basis negativ (≈ –0,7 V) | Pfeil nach innen |
Wichtige Kenngrößen
| Größe | Bedeutung |
|---|---|
| h_FE | Stromverstärkung |
| V_BE | Basisspannung zum Einschalten (≈ 0,7 V) |
| V_CE(sat) | Spannung im eingeschalteten Zustand |
Anwendungen (BJT)
- Schalter
- Verstärker
- Logikgatter
- Steuerstufen in Elektronik
Kurzmerksatz (BJT)
NPN → Basis positiv schaltet ein.
PNP → Basis negativ schaltet ein.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
Ein MOSFET ist ein spannungsgesteuerter Transistor mit den Anschlüssen D – Drain, G – Gate, S – Source. Er wird durch ein elektrisches Feld gesteuert, das am Gate erzeugt wird und über eine Metall-/Oxidschicht auf den Halbleiter wirkt. Das Gate benötigt praktisch keinen Strom, sondern nur eine Spannung.
Funktionsweise BJT
Eine Gatespannung ermöglicht oder verhindert den Stromfluss zwischen Drain und Source.
N-MOSFET und P-MOSFET
| Typ | Einschaltbedingung |
|---|---|
| N-MOSFET | Leitet, wenn das Gate gegenüber Source positiv ist (UGS > Uth). |
| P-MOSFET | Leitet, wenn das Gate gegenüber Source negativer ist (UGS < -Uth). |
Eigenschaften
- sehr hoher Eingangswiderstand
- sehr schnelle Schaltzeiten
- geringe Verlustleistung
- Grundlage moderner CPUs, GPUs, VRMs
BJT vs. MOSFET
| Merkmal | BJT | MOSFET |
|---|---|---|
| Steuerung | stromgesteuert (Basisstrom) | spannungsgesteuert (Gate) |
| Eingangswiderstand | niedrig | sehr hoch |
| Geschwindigkeit | mittel | sehr schnell |
| Verlustleistung | höher | geringer |
| Einsatz | Verstärker, einfache Schalter | Digitaltechnik, Leistungselektronik |
Kurzmerksatz
- BJT: Strom steuert Strom.
- MOSFET: Spannung steuert Strom.
