CPU-Fertigungsverfahren: Unterschied zwischen den Versionen
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* Ein DNA-Strang hat ungefähr 2 nm Durchmesser. | |||
* Moderne Transistorstrukturen sind nur wenige Nanometer groß. | |||
Damit beschreibt der Nanometerbereich extrem kleine Strukturen, wie sie in der Halbleiterfertigung verwendet werden. | |||
== Was bedeutet „Nanometer“? == | |||
Früher entsprach der Nanometerwert annähernd der tatsächlichen Gate-Länge eines Transistors. | Früher entsprach der Nanometerwert annähernd der tatsächlichen Gate-Länge eines Transistors. | ||
Heute ist der Wert eher ein '''Marketing- und Generationenbegriff''', weil moderne Fertigungsprozesse extrem komplex sind und keine einzelne Struktur exakt dieser Größe entspricht. | Heute ist der Wert eher ein '''Marketing- und Generationenbegriff''', weil moderne Fertigungsprozesse extrem komplex sind und keine einzelne Struktur exakt dieser Größe entspricht. | ||
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* sie verbessern Effizienz und Leistung | * sie verbessern Effizienz und Leistung | ||
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Je kleiner die Strukturgröße, desto besser sind in der Regel: | Je kleiner die Strukturgröße, desto besser sind in der Regel: | ||
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Kleinere Transistoren benötigen weniger Spannung und schalten mit weniger Verlusten. | Kleinere Transistoren benötigen weniger Spannung und schalten mit weniger Verlusten. | ||
→ weniger Stromverbrauch, längere Akkulaufzeiten, weniger Abwärme | → weniger Stromverbrauch, längere Akkulaufzeiten, weniger Abwärme | ||
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Mehr Transistoren können auf gleicher Fläche platziert werden. | Mehr Transistoren können auf gleicher Fläche platziert werden. | ||
→ komplexere CPU-Architekturen, größere | → komplexere CPU-Architekturen, größere [[Cache]]s, mehr [[Kerne und Threads|Kerne]] | ||
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Durch geringere Leckströme und schnellere Transistorschaltzeiten steigt die Effizienz erheblich. | Durch geringere Leckströme und schnellere Transistorschaltzeiten steigt die Effizienz erheblich. | ||
→ moderner 5-nm- oder 3-nm-Prozessor | → moderner 5-nm- oder 3-nm-Prozessor sind deutlich effizienter als ein 14-nm-Modell | ||
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Moderne Verfahren erlauben höhere oder stabilere Taktraten bei gleichen Temperaturen. | Moderne Verfahren erlauben höhere oder stabilere [[Taktfrequenz|Taktraten]] bei gleichen Temperaturen. | ||
→ insbesondere wichtig für Turbofrequenzen und mobile Systeme | → insbesondere wichtig für Turbofrequenzen und mobile Systeme | ||
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* fertigt Apple, AMD, Nvidia und viele andere Chips | * fertigt Apple, AMD, Nvidia und viele andere Chips | ||
=== Intel === | |||
* entwickelt eigene Fertigungsbezeichnungen (Intel 7, Intel 4, Intel 3) | * entwickelt eigene Fertigungsbezeichnungen (Intel 7, Intel 4, Intel 3) | ||
* arbeitet an neuen Techniken wie RibbonFET und PowerVia | * arbeitet an neuen Techniken wie RibbonFET und PowerVia | ||
=== Samsung Foundry === | |||
* konkurriert vor allem bei 7 nm, 5 nm und 3 nm | * konkurriert vor allem bei 7 nm, 5 nm und 3 nm | ||
* fertigt u. a. mobile Prozessoren und GPU-Komponenten | * fertigt u. a. mobile Prozessoren und GPU-Komponenten | ||
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Je kleiner die Struktur, desto schwieriger wird die Produktion: | Je kleiner die Struktur, desto schwieriger wird die Produktion: | ||
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Diese Herausforderungen erklären, warum nur wenige Unternehmen überhaupt in der Lage sind, modernste Fertigungstechnologien zu beherrschen. | Diese Herausforderungen erklären, warum nur wenige Unternehmen überhaupt in der Lage sind, modernste Fertigungstechnologien zu beherrschen. | ||
== Bedeutung der EUV-Lithografie == | |||
Moderne Fertigungsverfahren ab ca. 7 nm nutzen die '''EUV-Lithografie''' (Extreme Ultraviolet). | Moderne Fertigungsverfahren ab ca. 7 nm nutzen die '''EUV-Lithografie''' (Extreme Ultraviolet). | ||
Sie ermöglicht extrem feine Strukturen mit Licht im Bereich von 13,5 nm Wellenlänge. | Sie ermöglicht extrem feine Strukturen mit Licht im Bereich von 13,5 nm Wellenlänge. | ||
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* bessere Energieeffizienz | * bessere Energieeffizienz | ||
== Zukunft: Unter 3 nm == | |||
Die nächsten Schritte beinhalten: | Die nächsten Schritte beinhalten: | ||
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Früher entsprach die Angabe der tatsächlichen Gate-Länge eines Transistors. | Früher entsprach die Angabe der tatsächlichen Gate-Länge eines Transistors. | ||
Heute ist sie ein **technischer Generationenname**, ähnlich einer „Chipfamilie“. | Heute ist sie ein **technischer Generationenname**, ähnlich einer „Chipfamilie“. | ||
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* keine einzelne Struktur ist tatsächlich exakt 7 nm groß | * keine einzelne Struktur ist tatsächlich exakt 7 nm groß | ||
Trotzdem dient die Angabe weiterhin als | Trotzdem dient die Angabe weiterhin als '''Vergleichswert der Technologie-Generation'''. | ||
== Kurzmerksatz == | |||
'''Das Fertigungsverfahren beschreibt die Größe der Transistorstrukturen eines Chips. Kleinere nm-Werte bedeuten mehr Transistoren, höhere Effizienz und mehr Leistung | '''Das Fertigungsverfahren beschreibt die Größe der Transistorstrukturen eines Chips. Kleinere nm-Werte bedeuten mehr Transistoren, höhere Effizienz und mehr Leistung, auch wenn die Zahl heute eher ein Generationenbegriff ist.''' | ||
Aktuelle Version vom 11. Januar 2026, 17:18 Uhr
Das Fertigungsverfahren beschreibt die Größe der kleinsten Strukturen auf einem Prozessor, insbesondere der Transistoren. Diese Größenangaben werden typischerweise in Nanometern (nm) angegeben und sind ein wichtiger Faktor für Leistung, Effizienz und Transistordichte moderner CPUs und GPUs.
Was ist ein Nanometer?
Ein Nanometer (nm) ist eine Einheit der Länge und entspricht einem milliardstel Meter:
1 nm = 0,000000001 m = 10⁻⁹ Meter
Zur Einordnung:
- Ein menschliches Haar ist etwa 80.000–100.000 nm dick.
- Ein DNA-Strang hat ungefähr 2 nm Durchmesser.
- Moderne Transistorstrukturen sind nur wenige Nanometer groß.
Damit beschreibt der Nanometerbereich extrem kleine Strukturen, wie sie in der Halbleiterfertigung verwendet werden.
Was bedeutet „Nanometer“?
Früher entsprach der Nanometerwert annähernd der tatsächlichen Gate-Länge eines Transistors. Heute ist der Wert eher ein Marketing- und Generationenbegriff, weil moderne Fertigungsprozesse extrem komplex sind und keine einzelne Struktur exakt dieser Größe entspricht.
Trotzdem gilt weiterhin:
- kleinere „nm“-Angaben stehen für technisch fortschrittlichere Fertigung
- sie erlauben mehr Transistoren auf derselben Fläche
- sie verbessern Effizienz und Leistung
Auswirkungen der Strukturgröße
Je kleiner die Strukturgröße, desto besser sind in der Regel:
Energieeffizienz
Kleinere Transistoren benötigen weniger Spannung und schalten mit weniger Verlusten. → weniger Stromverbrauch, längere Akkulaufzeiten, weniger Abwärme
Transistordichte
Mehr Transistoren können auf gleicher Fläche platziert werden. → komplexere CPU-Architekturen, größere Caches, mehr Kerne
Leistung pro Watt
Durch geringere Leckströme und schnellere Transistorschaltzeiten steigt die Effizienz erheblich. → moderner 5-nm- oder 3-nm-Prozessor sind deutlich effizienter als ein 14-nm-Modell
Taktfrequenzen
Moderne Verfahren erlauben höhere oder stabilere Taktraten bei gleichen Temperaturen. → insbesondere wichtig für Turbofrequenzen und mobile Systeme
Historische Entwicklung (vereinfacht)
| Generation | Strukturgröße (typisch) | Beispiele |
|---|---|---|
| Frühere Fertigung | 90 nm – 45 nm | Intel Core 2 Duo (65 nm), AMD Athlon 64 (90 nm) |
| Übergang zur modernen Fertigung | 32 nm – 14 nm | Intel Core i7-2600K (32 nm), Ryzen 1000 (14 nm) |
| Moderne Generationen | 10 nm – 5 nm | Intel 10 nm, AMD Ryzen 5000 (7 nm), Apple M1 (5 nm) |
| High-End / aktuelle Entwicklung | 4 nm – 3 nm | Apple M3 (3 nm), AMD Zen 5 (4 nm) |
Wichtige Hersteller
TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)
- führend bei 7 nm, 5 nm und 3 nm
- fertigt Apple, AMD, Nvidia und viele andere Chips
Intel
- entwickelt eigene Fertigungsbezeichnungen (Intel 7, Intel 4, Intel 3)
- arbeitet an neuen Techniken wie RibbonFET und PowerVia
Samsung Foundry
- konkurriert vor allem bei 7 nm, 5 nm und 3 nm
- fertigt u. a. mobile Prozessoren und GPU-Komponenten
Technische Herausforderungen
Je kleiner die Struktur, desto schwieriger wird die Produktion:
- Leckströme steigen (Elektronen „fließen durch“)
- Hitzeentwicklung im Verhältnis zur Fläche
- Ausbeute (Yield) sinkt bei sehr kleinen Strukturen
- EUV-Lithografie (extrem ultraviolettes Licht) wird zwingend benötigt
- Produktionskosten explodieren (Fabs kosten Milliarden)
Diese Herausforderungen erklären, warum nur wenige Unternehmen überhaupt in der Lage sind, modernste Fertigungstechnologien zu beherrschen.
Bedeutung der EUV-Lithografie
Moderne Fertigungsverfahren ab ca. 7 nm nutzen die EUV-Lithografie (Extreme Ultraviolet). Sie ermöglicht extrem feine Strukturen mit Licht im Bereich von 13,5 nm Wellenlänge.
EUV ist entscheidend für:
- geringere Strukturdimensionen
- höhere Präzision
- weniger Fertigungsschritte
- bessere Energieeffizienz
Zukunft: Unter 3 nm
Die nächsten Schritte beinhalten:
- 2 nm (TSMC, Samsung, Intel in Entwicklung)
- Gate-All-Around (GAAFET) – neue Transistortechnik
- Nanosheet-Designs
- 3D-Chip-Stacks (Chiplets, interposer-basiert)
Diese Technologien ermöglichen:
- noch höhere Dichte
- niedrigeren Energieverbrauch
- bessere Parallelisierung
Warum die Nanometer-Zahl nicht mehr wörtlich gemeint ist
Früher entsprach die Angabe der tatsächlichen Gate-Länge eines Transistors. Heute ist sie ein **technischer Generationenname**, ähnlich einer „Chipfamilie“.
Beispiel:
- TSMC „7 nm“ ≠ Intel „7 nm“
- verschiedene Hersteller → verschiedene Definitionen
- keine einzelne Struktur ist tatsächlich exakt 7 nm groß
Trotzdem dient die Angabe weiterhin als Vergleichswert der Technologie-Generation.
Kurzmerksatz
Das Fertigungsverfahren beschreibt die Größe der Transistorstrukturen eines Chips. Kleinere nm-Werte bedeuten mehr Transistoren, höhere Effizienz und mehr Leistung, auch wenn die Zahl heute eher ein Generationenbegriff ist.
