P-n-Übergang: Unterschied zwischen den Versionen
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Ein '''p-n-Übergang''' entsteht, wenn ein '''p-dotierter''' Halbleiter direkt mit einem '''n-dotierten''' Halbleiter verbunden wird. Er bildet die grundlegende Struktur vieler elektronischer Bauelemente, insbesondere der '''Diode'''. | Ein '''p-n-Übergang''' entsteht, wenn ein '''p-dotierter''' Halbleiter direkt mit einem '''n-dotierten''' Halbleiter verbunden wird. Er bildet die grundlegende Struktur vieler elektronischer Bauelemente, insbesondere der '''Diode'''. | ||
== Entstehung == | |||
Nach dem Kontakt diffundieren Elektronen aus dem n-Bereich in den p-Bereich, während Löcher aus dem p-Bereich in den n-Bereich wandern. Dadurch entsteht eine '''Raumladungszone''' (Sperrschicht), in der keine frei beweglichen Ladungsträger mehr vorhanden sind. | Nach dem Kontakt diffundieren Elektronen aus dem n-Bereich in den p-Bereich, während Löcher aus dem p-Bereich in den n-Bereich wandern. Dadurch entsteht eine '''Raumladungszone''' (Sperrschicht), in der keine frei beweglichen Ladungsträger mehr vorhanden sind. | ||
== Sperrschicht == | |||
In der Raumladungszone bildet sich ein internes elektrisches Feld, das den weiteren Ladungsträgerfluss hemmt. Dieses Feld verursacht eine '''Diffusionsspannung''' (auch Kontaktspannung genannt). | In der Raumladungszone bildet sich ein internes elektrisches Feld, das den weiteren Ladungsträgerfluss hemmt. Dieses Feld verursacht eine '''Diffusionsspannung''' (auch Kontaktspannung genannt). | ||
== Durchlass- und Sperrrichtung == | |||
* '''Durchlassrichtung''': Eine äußere Spannung verkleinert die Sperrschicht → Strom kann fließen. | * '''Durchlassrichtung''': Eine äußere Spannung verkleinert die Sperrschicht → Strom kann fließen. | ||
* '''Sperrrichtung''': Die Sperrschicht vergrößert sich → Stromfluss wird nahezu verhindert. | * '''Sperrrichtung''': Die Sperrschicht vergrößert sich → Stromfluss wird nahezu verhindert. | ||
== Bedeutung == | |||
Der p-n-Übergang ist die physikalische Grundlage für: | Der p-n-Übergang ist die physikalische Grundlage für: | ||
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Version vom 9. Februar 2026, 11:19 Uhr
Ein p-n-Übergang entsteht, wenn ein p-dotierter Halbleiter direkt mit einem n-dotierten Halbleiter verbunden wird. Er bildet die grundlegende Struktur vieler elektronischer Bauelemente, insbesondere der Diode.
Entstehung
Nach dem Kontakt diffundieren Elektronen aus dem n-Bereich in den p-Bereich, während Löcher aus dem p-Bereich in den n-Bereich wandern. Dadurch entsteht eine Raumladungszone (Sperrschicht), in der keine frei beweglichen Ladungsträger mehr vorhanden sind.
Sperrschicht
In der Raumladungszone bildet sich ein internes elektrisches Feld, das den weiteren Ladungsträgerfluss hemmt. Dieses Feld verursacht eine Diffusionsspannung (auch Kontaktspannung genannt).
Durchlass- und Sperrrichtung
- Durchlassrichtung: Eine äußere Spannung verkleinert die Sperrschicht → Strom kann fließen.
- Sperrrichtung: Die Sperrschicht vergrößert sich → Stromfluss wird nahezu verhindert.
Bedeutung
Der p-n-Übergang ist die physikalische Grundlage für:
- Dioden
- Transistoren
- LEDs
- integrierte Schaltungen (ICs)
